技术核心

     第三代半导体氮化镓(Gallium nitride，GaN），是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体。此化合物结构类似纤锌矿，硬度高。GaN的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、短波长的光电元件中。作为第三代半导体材料，GaN与碳化硅（SiC）的低速度和砷化镓（GaAs）的低击穿电压等特性相比，有其独特的优势。由于禁带宽度大、导热率高，理论上GaN器件可在300℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；其较大的禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件的击穿电压高、导通电阻小，有利于提升器件整体的能效；电子迁移率高、饱和速度高，可让器件高速地工作。

     本公司为IDM模式公司。

     公司的主要核心技术在GaN材料外延和器件制备上。

     材料外延方面：掌握器件外延结构设计、外延生长调试和测试等核心技术，能够完成高端外延结构（如蓝绿光激光器结构、紫外发光二极管结构和射频器件结构等）的设计和生长调试。

     器件制备方面：掌握器件结构设计和制程工艺调试等核心技术，能够独立设计器件结构和调试制程工艺，实现高良率的制程工艺和高性能的器件。